然而,令人费解的是,如果仅从增长率来看,峰值实际上已在2024年到来,而2025年上半年则出现了先下降后上升的趋势,打破了之前的周期性规律。从上图可以看出,两点显而易见:目前的出货量远高于前两个峰值,而且峰值尚未最终确定。
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然而,本轮涨价与以往周期最大的不同在于一个关键变量——HBM(高带宽内存)的爆发式增长。AI芯片(如英伟达H200/B200)对HBM的需求是传统DRAM的数倍甚至数十倍。三大原厂将大量先进制程产能转向HBM,挤占了原本用于生产手机LPDDR(低功耗内存)的产能。这种“结构性短缺”成为本轮涨价的核心推手。
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